HomeLaboratoriaLaboratorium funkcjonalizacji powierzchni

Laboratorium funkcjonalizacji powierzchni

Laboratorium zostało wyposażone w dwa rodzaje urządzeń do nakładania cienkich warstw i powłok:

  • Atomic Layer Deposition (ALD)
  • Physical Vapour Deposition (PVD)

Atomic Layer Deposition (ALD)

Physical Vapour Deposition (PVD)

Opiekun laboratorium

dr hab. inż. Marcin Basiaga

Marcin.Basiaga@polsl.pl
pok. 109, Zabrze

Atomic Layer Deposition (ALD)

Beneq TFS200 – System do osadzania pojedynczych warstw atomowych

  • urządzenie pozwala na wytworzenie cienkich warstw w temperaturze do 500°C
  • proces przebiega w atmosferze azotu 5.0 
  • wymiary wewnętrzne komory: średnica 200mm, wysokość 90mm
  • dysponujemy szeroką gamą prekursorów, takich jak: cynk, cyna, glin, tytan, cyrkon, tantal
  • warstwa może składać się zarówno z jednego z prekursorów, z kilu, a także z ich tlenków.
  • możliwe jest sterowanie zarówno ilością, jak i czasem trwania poszczególnych cykli.

Parametry Beneq TFS200:

  • 2 komory 200 mm x 95 mm
  • 1 komora 200 mm x 18 mm
  • 4 źródła ciekłe
  • 2 źródła podgrzewane
  • 2 linie gazowe
  • System dostarczania O3
  • Moduł do pokrywania nanocząstek
  • Doskonała adhezja – chemisorpcja
  • Sekwencyjność,
  • Powtarzalność,
  • Wysoka wydajność,
  • Niska temperatura procesu,
  • Kontrolowana grubość

Physical Vapour Deposition (PVD)

System PVD (ang. Physical Vapour Deposition) wyposażony w moduł sputteringu magnetronowego.

  • Ciśnienie bazowe w komorze wynosi 5×10-7 mbar – standard UHV (ang. Ultra High Vacuum)
  • Możliwość instalacji do 3 dział magnetronowych oraz dwóch rodzajów zasilania DC i RF wraz z modułem współdepozycji oraz liniami gazowymi do azotu i tlenu.
  • Komora, pokazująca działające źródło rozpylania magnetronowego

Urządzenie firmy Moorfield, nanoPVD-S10A, to magnetronowy system rozpylania magnetronowego, do napylania metali lub materiałów izolacyjnych, takich jak tlenki i azotki. Urządzenia są wyposażone w turbomolekularne układy pompujące zapewniające pracę przy niskim poziomie zanieczyszczeń. Możliwe jest współosadzanie, a także napylanie reaktywne za pomocą modułu sterowania gazem/ciśnieniem, który może obsługiwać do 3 gazów procesowych. System współpracuje z klasycznymi przemysłowymi targetami (np. TiN, TiO2, C) oraz podłożami o wymiarach do 4”.